Photos stage microéléctronique
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La fabrication
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| Photogravure | Attaque HF | Dopage redistribution | Aluminium | Mise en boitiers |
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Les tests et mesures
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| Contrôles visuels | défauts | témoins | Test sous pointes | |
| mesures | épaisseur | |||
Photogravure
La résine photo-sensible est étalée sur la plaquette à l'aide d'une tourelle centrifuge
Ensuite l'insolation en superposant un masque à la plaquette
La résine est ensuite développée (bain révélateur dans la machine à droite) comme une photo puis recuite sur la plaque chauffante.
Gravure (attaque Si02 à l'acide fluorhydrique)
D'abord le témoin pour connaitre le temps d'attaque
puis la plaquette : le SiO2 set attaqué dans les zones sans résine
Dépot d'Al sous vide par bombardement à l'argon d'une cible en Al. Le plasma Ar+ est lumineux
avant l'injection de l'argon la "qualité" du vide est de l'ordre de 1E-10 atm
Résultat : alu partout sur une couche d'environ 0,5µm
Une deuxième photogravure permet de graver l'aluminium
D'abord scier la plaquette. Epaisseur de la scie 40µm. Espace entre 2 puces 100µm.
on obtient ceci :
"soudure" par ultrasons on distingue l'extrémité du fil (25µm) en avant de la pointe
Vue de coté : la pince coupe le fil en reculant quand on est appuyé sur une soudure. On devine le chas de la pointe sur le zoom
Après le premier développement : résine partout sauf dans les parties à graver
Après le second developpement
Témoins de qualité de gravure
Repères d'alignement lors de la 2° photogravure.
Un choc thermique
Une goutte d'acétone sur la résine ?
Ne pas rincer à l'eau (non miscible / triclo) le pinceau de la cire apiezon
origine inconnue
Le témoin rectiligne représente le substrat de départ. la partie grise est le silicium. Elle a été attaquée par de l'acide fluorhydrique pendant que la partie colorée était protégée par de la cire apiézon. La partie colorée est restée recouverte de SiO2. On peut déduire de ce témoin la résistivité (donc le dopage initial du substrat) et l'épaisseur de l'oxyde de masquage.
Le témoin demi-lune a été dopé en même temps que la plaquette. puis attaqué à nouveau à l'acide HF. On peut en déduire la résistivité àprès dopage (niveau du dopage), l'épaisseur de l'oxyde qui s'est formé pendant le dopage, l'évolution de l'épaisseur de l'oxyde de masquage pendant le dopage.
Il permet de tester rapidement une quantité de puces pour avoir une idée du niveau de qualité et d'homogénéité de la plaquette.
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